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加工碳化硅设备,设备以其革新性的高效线速

加工碳化硅设备,设备以其革新性的高效线速

2014年9月25日相比国内外同类设备而言，ISC 3010 线速提升17倍，更容易成为大批量晶体加工实际操作的好帮手。设备以其革新性炭化硅 xi2024年4月19日由于碳化硅是高硬度的脆性材料，切磨抛的加工难度增加，加工过程中其曲翘开裂等问题严重，损耗巨大。根据英飞凌的数据，在传统的往复式金刚石固结磨料多成果推介：大尺寸碳化硅激光切片设备与技术

行业研机械设备关注碳化硅设备国产化突破和加速究 2023

2023年2月26日设备是决定各厂商产能上限的决定性因素。碳化硅产业资本开支加速，供应链安全可控助力国产碳化硅设备厂商突围碳化硅晶圆和器件的制备基本工艺流程同硅基 2023年5月4日推出国内首款高线速碳化硅金刚线切片机GCSCDW6500可获得和砂浆切割相同的晶片质量，同时大幅提升切割效率，显著降低生产成本，行业内独家实现批量销碳化硅设备行业深度报告：多技术并行，碳化硅衬底切片设备

碳化硅产业核心设备

2023年12月22日外延环节技术壁垒相对较高，对第三方厂商成熟设备具有较强依赖性，目前碳化硅外延设备由德国的Aixtron、意大利的LPE、日本的TEL和 Nuflare所垄断，占据 2023年2月27日受益标的：（1）宇环数控：国内稀缺的高端数控机床研发制造企业，以超硬材料机加工核心技术为基，切入碳化硅研磨设备。（2）快克股份：深耕微电子封装三机械设备行业周报：关注碳化硅设备国产化突破和加速

晶盛机电已成功生长出8英寸碳化硅晶体，并建设6英寸

2022年12月7日目前公司已成功生长出行业领先的 8 英寸碳化硅晶体，并建设了 6 英寸碳化硅晶体生长、切片、抛光环节的研发实验线，实验线产品已通过下游部分客户验证，公 2023年7月14日 1）外延设备：应用于半导体与碳化硅领域的外延生长薄膜，在硅片衬底上生长出外延单晶薄膜，广泛应用于半导体Si与碳化硅SiC领域。 2）市场空间：预迈向半导体碳化硅设备龙头，设备零部件协同布局铸造高壁垒

碳化硅，第三代半导体时代的中国机会国家自然科学基金

2021年7月21日今年发布的“‘十四五’规划和2035年远景目标纲要”提出，我国将加速推动以碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体新材料新技术产业化进程，催生一批高速成长的新材料企业。科技日报记者7月18日对业内专家进行采访时发现，他们对我国第三代半导体的发展 3 天之前在降本需求催动下，需要将一个大的碳化硅（SiC）晶锭切成尽可能多的薄碳化硅（SiC）晶圆衬底，同时随着晶圆尺寸不断增大 (目前8英寸晶圆已有量产，下一步将拓展12英寸晶圆的生长），这些都对切割工艺的要求提出了更高的标准。目前主流的切割工艺大体顺应降本增效趋势，半导体碳化硅(SiC) 衬底4种切割技术

知乎专栏随心写作，自由表达知乎

Zhihu's column provides a platform for writers to freely express themselves and share their thoughts2020年10月21日但设备的产线应用较少，进而导致设备技术细节和可靠性有待提高，市场认可度较低。碳化硅材料及器件整线工艺碳化硅材料及器件可分以下几个阶段晶体生长及晶体加工、芯片制造和芯片封装以碳化硅MOSFET工艺为例，整线关键工艺设备共22种。 1碳首片国产 6 英寸碳化硅晶圆发布，有哪些工艺设备？有多难做

2025市场达200亿，碳化硅关键设备企业迎历史机遇艾邦

2023年11月30日虽然碳化硅产能扩建一片红红火火，但想要大规模起量乃至获得高额收益，至少要等到2025年以后了，如今都不过是在烧钱布局罢了，最先从中受益的反而是设备厂商，由于碳化硅的扩建扩产，相关设备市场皆呈现供不应求的状态，Insemi预计2025年碳化 3 天之前本文以研究第三代半导体碳化硅衬底磨抛加工技术为目的，综述了机械磨抛技术、化学反应磨抛技术的进展根据去除机理的不同，划分并总结现有磨抛技术的特点：传统机械磨抛拥有较高的材料去除率，但是其加工质量较差，且损伤严重；而化学腐蚀反应磨碳化硅衬底磨抛加工技术的研究进展与发展趋势艾邦半导体网

氮化镓与碳化硅：电力电子封装与功率转换的革新之路 RF

2024年3月22日随着科技的不断进步，电力电子封装技术已成为当今研究领域的热点。氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）的崛起，为电力电子领域带来了前所未有的机遇与挑战。这两种宽带隙半导体材料在提升功率转换效率、减少能源浪费方面显示出巨大的潜力，引领着电力电子技术的革新。2022年12月15日产业加速扩张之下，碳化硅设备成入局“香饽饽” 集微网报道，2022年以来，受全球消费电子市场整体放缓以及新冠疫情反复的影响，半导体产业在经历了持续良久的高景气后开启了去库存周期。值得一提的是，虽然半导体产业已经步入下行周期，但仍有部分产业加速扩张之下，碳化硅设备成入局“香饽饽”腾讯新闻

重磅！国产SiC衬底激光剥离实现新突破第三代半导体风向

2023年5月23日碳化硅行业国外厂商已经开展长达5年以上的激光剥离技术探索。截至目前，激光剥离技术未导入量产线，仍有一些技术挑战需要解决。据“行家说三代半”了解，西湖仪器在碳化硅衬底激光剥离技术上实现了突破，并且成功开发了整套碳化硅衬底激光剥离设备，可直接投入生产，为碳化硅衬底的 2023年11月5日碳化硅切割碳化硅主流的切割方式分为砂浆线切割、金刚线切割、激光切割（水导激光、激光剥离、激光冷切割）。对于国内厂商而言，砂浆线切割技术已应用于绝大部分碳化硅衬底厂商，金刚线切割技术也成为了主流迭代方案。尽管金刚线相较于砂浆线切割优势明显，但仍存在一些问题：1、加碳化硅切割技术比较（资料）碳化硅切割碳化硅主流的切割

线锯切片技术及其在碳化硅晶圆加工中的应用砂浆线切割材料

2023年6月18日与砂浆线切割技术不同的是,该技术通常使用水基冷却剂,因此较为环保。本文综述了线锯切片技术的研究进展,以硅材料为例介绍了线锯切片技术的力学模型和材料去除机理, 接着讨论了线锯及工艺相关因素对材料去除的影响。最后,介绍了线锯切片技术在 2024年1月24日 2 烧结后加工烧结后的碳化硅陶瓷零件需要进行精密加工，以满足各种应用领域的性能要求。传统的加工方法主要有磨削、研磨等，但这些方法存在加工效率低、加工成本高、加工精度难以保证等问题。而陶瓷雕铣机可以实现对烧结后碳化硅陶瓷零件的高效碳化硅陶瓷精密加工：烧结前和烧结后的高效加工方法领域

碳化硅陶瓷加工新方法：陶瓷生胚加工机床的优势与挑战

2024年2月20日 2 高效率：陶瓷生胚加工机床采用高速切削技术，可以大大提高碳化硅陶瓷的加工效率。与传统的成型方法相比，陶瓷生胚加工机床的加工效率可以提高数倍甚至数十倍。 3 减少裂纹和变形：由于陶瓷生胚加工机床采用非接触式加工方式，刀具与陶瓷生胚之 2023年12月26日 CINNO Research产业资讯，日本半导体材料加工设备厂商高鸟株式会社（Takatori，以下简称为“高鸟”）近日推出了一款用于切割功率半导体方向碳化硅（SiC）晶圆的新型切割设备。该设备不仅支持切割当下主流的直径为6吋（约15厘米）的晶圆，还可用于切割10吋高鸟研发出新型碳化硅功率半导体方向的切割设备，可用于

20家企业将建8吋SiC线！4家国内企业提前布局电子工程专辑

2024年6月23日据“行家说三代半”调研发现，截至2024年4月，全球已有20家企业正在或计划推进8吋SiC晶圆产线建设，其中有8个项目落地中国。据测算，SiC晶圆从6英寸扩大到8英寸，SiC芯片产量可增加90%，在8英寸晶圆上制造的SiC MOSFET芯片成本有望降低54%，这将进一步加速 2023年7月4日该产品是一款使用金刚线切割半导体碳化硅晶锭的专用加工设备，可加工晶锭直径兼容6寸、8寸，最大加工长度300mm。具有料损小、加工质量好、切割效率高、稳定性好等特点。近年来，在下游需求带动下，碳化硅晶圆正在从6英寸开始向8英寸推进，更大出片率提升5%以上!高测股份新一代碳化硅切片机“破局”8英寸领域

碳化硅陶瓷加工注意事项？刀具参数设备

2024年5月5日三、控制加工参数在加工碳化硅陶瓷时，需要严格控制加工参数，如切削速度、进给速度、切削深度等。这些参数的选择直接影响到加工效果。如果参数设置不当，可能会导致刀具磨损严重、加工表面粗糙、开裂等问题。因此，需要根据碳化硅陶瓷的特性 2024年4月19日成果推介：大尺寸碳化硅激光切片设备与技术大尺寸碳化硅激光切片设备与技术 1 痛点问题 SiC不仅是关系国防安全的的重要技术，同时也是关于全球汽车产业和能源产业非常注重的关键技术。将生长出的晶体切成片状作为碳化硅单晶加工过程的道工成果推介：大尺寸碳化硅激光切片设备与技术

又一巨头建设8英寸SiC产线，已采购这家国产设备今年一季度

2024年3月20日今年一季度，碳化硅半导体行业进入传统淡季，然而优晶科技等企业却逆势增长：获得国际巨头8英寸SiC长晶设备订单，同时还将与2家韩国客户签约；获得国内200台设备订单，并且与2家光伏企业签订了碳化硅长晶设备战略合作协议；究竟优晶科技获得了哪家国际巨头的青睐？2021年7月21日今年发布的“‘十四五’规划和2035年远景目标纲要”提出，我国将加速推动以碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体新材料新技术产业化进程，催生一批高速成长的新材料企业。科技日报记者7月18日对业内专家进行采访时发现，他们对我国第三代半导体的发展碳化硅，第三代半导体时代的中国机会国家自然科学基金

顺应降本增效趋势，半导体碳化硅(SiC) 衬底4种切割技术

3 天之前在降本需求催动下，需要将一个大的碳化硅（SiC）晶锭切成尽可能多的薄碳化硅（SiC）晶圆衬底，同时随着晶圆尺寸不断增大 (目前8英寸晶圆已有量产，下一步将拓展12英寸晶圆的生长），这些都对切割工艺的要求提出了更高的标准。目前主流的切割工艺大体 Zhihu's column provides a platform for writers to freely express themselves and share their thoughts知乎专栏随心写作，自由表达知乎

首片国产 6 英寸碳化硅晶圆发布，有哪些工艺设备？有多难做

2020年10月21日但设备的产线应用较少，进而导致设备技术细节和可靠性有待提高，市场认可度较低。碳化硅材料及器件整线工艺碳化硅材料及器件可分以下几个阶段晶体生长及晶体加工、芯片制造和芯片封装以碳化硅MOSFET工艺为例，整线关键工艺设备共22种。 1碳 2023年11月30日虽然碳化硅产能扩建一片红红火火，但想要大规模起量乃至获得高额收益，至少要等到2025年以后了，如今都不过是在烧钱布局罢了，最先从中受益的反而是设备厂商，由于碳化硅的扩建扩产，相关设备市场皆呈现供不应求的状态，Insemi预计2025年碳化 2025市场达200亿，碳化硅关键设备企业迎历史机遇艾邦

碳化硅衬底磨抛加工技术的研究进展与发展趋势艾邦半导体网

3 天之前本文以研究第三代半导体碳化硅衬底磨抛加工技术为目的，综述了机械磨抛技术、化学反应磨抛技术的进展根据去除机理的不同，划分并总结现有磨抛技术的特点：传统机械磨抛拥有较高的材料去除率，但是其加工质量较差，且损伤严重；而化学腐蚀反应磨 2024年3月22日随着科技的不断进步，电力电子封装技术已成为当今研究领域的热点。氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）的崛起，为电力电子领域带来了前所未有的机遇与挑战。这两种宽带隙半导体材料在提升功率转换效率、减少能源浪费方面显示出巨大的潜力，引领着电力电子技术的革新。氮化镓与碳化硅：电力电子封装与功率转换的革新之路 RF

产业加速扩张之下，碳化硅设备成入局“香饽饽”腾讯新闻

2022年12月15日产业加速扩张之下，碳化硅设备成入局“香饽饽” 集微网报道，2022年以来，受全球消费电子市场整体放缓以及新冠疫情反复的影响，半导体产业在经历了持续良久的高景气后开启了去库存周期。值得一提的是，虽然半导体产业已经步入下行周期，但仍有部分 2023年5月23日碳化硅行业国外厂商已经开展长达5年以上的激光剥离技术探索。截至目前，激光剥离技术未导入量产线，仍有一些技术挑战需要解决。据“行家说三代半”了解，西湖仪器在碳化硅衬底激光剥离技术上实现了突破，并且成功开发了整套碳化硅衬底激光剥离设备，可直接投入生产，为碳化硅衬底的重磅！国产SiC衬底激光剥离实现新突破第三代半导体风向